Name: Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1958DH-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3

Artikelnummer:

SI1958DH-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Datenblätte:

1.SI1958DH-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf Material Compliance.pdf SI1958DH.pdf

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1958DH-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205mOhm @ 1.3A, 4.5V
Leistung - max	1.25W
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	105pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.3A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI1958
SI1958DH-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI1958DH-T1-E3 PDF - EN.pdf

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